LED照明應(yīng)用趨勢(shì)及散熱問(wèn)題由于固態(tài)光源（Solid State Lighting）技術(shù)不斷進(jìn)步,，使近年來(lái)LED的發(fā)光效率提升，逐漸能取代傳統(tǒng)光源,，目前發(fā)光效率已追過(guò)白熾燈及鹵素?zé)舳掷m(xù)向上成長(zhǎng),。

而一些公司更已開(kāi)發(fā)出效率突破100lm/W 的LED元件，這也使得LED的照明應(yīng)用越來(lái)越廣,，不但已開(kāi)始應(yīng)用于室內(nèi)及戶(hù)外照明,、手機(jī)背光模組及汽車(chē)方向燈等，更看好在高瓦數(shù)的投射燈及路燈等強(qiáng)光照明,、大尺寸背光模組以及汽車(chē)頭燈等的應(yīng)用,。由于擁有省電、環(huán)保及壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),，更使未來(lái)以LED光源為主流的趨勢(shì)越趨明顯,。

為了讓LED發(fā)更亮的光而需要輸入更高的功率，然而目前大功率LED的光電轉(zhuǎn)換效率值仍然有限，一般僅有約15~25% 的輸入功率成為光,，其馀則會(huì)轉(zhuǎn)換成熱能,。由于LED晶片面積很小，因此使高功率LED單位面積的發(fā)熱量（發(fā)熱密度）非常高,，甚至較一般的 IC 元件更為嚴(yán)重,，也使得LED 晶片的接面溫度大為提升，容易造成過(guò)熱問(wèn)題,。過(guò)高的晶片接面溫度會(huì)使LED 的發(fā)光亮度降低,，其中以紅光的衰減最為明顯。也會(huì)造成LED的波長(zhǎng)偏移而影響演色性,，更會(huì)造成LED可靠度的大幅降低,，因此散熱技術(shù)已成為目前LED技術(shù)發(fā)展的瓶頸。

因此散熱設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)較大,，必須從晶片層級(jí),、封裝層級(jí)、PCB 層級(jí)到系統(tǒng)模組層級(jí),，都要非常重視散熱設(shè)計(jì),，并尋求最佳的散熱方桉。對(duì)于LED照明產(chǎn)品而言,，由于系統(tǒng)端的散熱限制較大,，因此其它層級(jí)的散熱需求就更明顯。

對(duì)于LED熱傳問(wèn)題,，最基本的分析方法就是利用熱阻網(wǎng)路進(jìn)行分析,。也就是將LED由晶片熱源到環(huán)境溫度的主要散熱路徑建構(gòu)熱阻網(wǎng)路，然后分析各熱阻值的特性及大小,，如此可以推算理想狀況時(shí)的晶片溫度,，并針對(duì)熱阻網(wǎng)路各部分下對(duì)策以降低熱阻值。需注意的是,，實(shí)際分析時(shí)可依據(jù)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)組成更詳細(xì)的熱阻網(wǎng)路,，例如考慮Die Attach 材料及Solder 等介面材料之熱阻，或是散熱模組結(jié)構(gòu)之熱阻值,。

由于LED晶片的Sapphire 基板導(dǎo)熱特性較差,，會(huì)造成熱阻值過(guò)高，因此改善方式必須用高導(dǎo)熱的材料如銅取代Sapphire ,，或是採(cǎi)用覆晶方式將基板移開(kāi)熱傳路徑,，以降低熱阻值。目前在晶片到封裝層級(jí)性能較佳的散熱設(shè)計(jì),，包括共融合金基板及覆晶形式等設(shè)計(jì),，使熱更容易從晶片傳到封裝中,。而增加晶片尺寸以降低發(fā)熱密度也是可行的方向。

大功率LED的散熱設(shè)計(jì)非常重要,，關(guān)系到LED的發(fā)光的品質(zhì)及使用壽命,。透過(guò)熱阻網(wǎng)路可迅速分析散熱能力及需求并尋求散熱對(duì)策，由于大功率LED發(fā)熱密度很大,，必須從Chip Level、Package Level,、Board Level到System Level 各層級(jí)進(jìn)行散熱設(shè)計(jì),，降低熱阻，才能得到最佳的散熱效果,。目前國(guó)際上各大LED晶片及封裝廠商都致力于發(fā)展發(fā)光效率更高的產(chǎn)品,，透過(guò)提升光的量子效率等方式提升光電轉(zhuǎn)換效率，以降低晶片發(fā)熱量,。

為了使LED產(chǎn)品的發(fā)展及應(yīng)用更為快速,，相關(guān)的散熱技術(shù)仍需同步發(fā)展。由于人類(lèi)對(duì)于生活品質(zhì)的需求不斷提升,，就如同IC 產(chǎn)品對(duì)于散熱的需求一直存在,，散熱設(shè)計(jì)在各種大功率LED的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中仍將佔(zhàn)有重要的地位。